MgO Substratum
Descriptio
MgO unum subiectum adhiberi potest ad instrumenta communicationis mobilis creandi requisita ad altum temperamentum superducendi proin filamenta et alias machinas.
Chemicis mechanicis expoliendis usi sumus quae praeparari possunt ad summam qualitatem atomicam superficiei producti, Amplissima amplitudo 2"x 2"x0.5mm distent praesto.
Properties
| Incrementum Methodi | Specialis Arcus Melting |
| Crystal Structure | Cubic |
| Crystallographic cancellos Constant | a=4.216Å |
| Density（g/cm3. | 3.58 |
| Liquefactio Point（℃） | 2852 |
| Puritas crystallis | 99.95% |
| Dielectric Constant | 9.8 |
| Scelerisque Expansion | 12.8ppm/℃ |
| Synthesis Planum | <100> |
| Optical Transmissio | >90%（200~400nm）,>98%（500~1000nm） |
| Crystal Praefectio | Nullae visibiles inclusiones et micro crepuit, X-Ray curva in promptu gestatio |
Mgo Substratum Definition
MgO, brevis pro magnesio oxydatus, unica crystalli subiecta est, quae vulgo in campo tenui pelliculae depositionis et incrementi epitaxialis adhibetur.Habet structuram cristalli cubicam et qualitatem cristalli praestantem, eamque aptam facit ut membranae tenuis summus qualitas crescat.
MgO subiectae notae sunt propter superficies laeves, altae stabilitatis chemicae, et densitas gravis defectus.Proprietates hae eas faciunt ideales applicationibus ut machinarum semiconductorium, instrumentorum magneticarum memoria, et machinarum optoelectronic.
In tenuis depositionis pelliculae, MgO subiecta praebent exempla ad incrementum variarum materiarum cum metallis, semiconductoribus et oxydis.In cristallo orientationis MgO subiecti diligenter eligi potest ut cinematographicum epitaxialem optatum aequare, ut altiorem gradum noctis cristallinae et cancellos mismatch obscurat.
Praeterea, MgO subiecta sunt in instrumentis magneticis recordandis ob facultatem suam structuram crystalli valde ordinatam praebere.Hoc permittit ut magis efficax alignment ditiones magneticae in memoria medii, inde in meliori notitia repositionis effectus.
In fine, MgO singulae subiectae sunt qualitates substratae crystallinae pro templates pro epitaxiali augmento tenuium membranarum in variis applicationibus, incluso semiconductores, optoelectronics, et instrumentorum magneticarum recordatio.
