LiAlO2 Substratum
Descriptio
LiAlO2 optimum cinematographicum crystallinum subiectum est.
Properties
| Crystal structure | M4 |
| Unit cellam constantem | a=5.17 A c=6.26 A |
| conflandum punctum | 1900 |
| Density（g/cm3. | 2.62 |
| Duritia (Mho) | 7.5 |
| ut tincidunt | Una vel duplex vel sine |
| Crystal propensionis | 100＞ 001> |
Substratum LiAlO2 Definition
Substratum LiAlO2 refertur ad subiectum e aluminio oxydi lithii (LiAlO2).LiAlO2 est compositum crystallinum pertinens ad globum spatii R3m et structuram crystallinam triangularem habet.
LiAlO2 subiectae in variis applicationibus adhibitae sunt, inclusis tenuibus cinematographicis cinematographicis, epitaxialibus et heterostructuris electronicarum, optoelectronicarum, et machinarum photonicarum.Ob eximiam eius proprietates physicas et chemicae, maxime apta est ad evolutionem ligamentorum semiconductorum dilatatorum.
Una praecipuorum applicationum substratorum LiAlO2 est in agro Gallium Nitride (GaN) substructio inventa qualia sunt Transistores Mobilitas Electron (HEMTs) et Lux emittens Diodes (LEDs).Cancellus mispar inter LiAlO2 et GaN relative parva est, eamque aptam facit pro incremento epitaxiali tenui membranae GaN subiectae.Substratum LiAlO2 praebet exemplum summus qualitas depositionis GaN, inde in meliori fabrica perficiendi et constantiae.
Substratorum LiAlO2 etiam in aliis campis adhibentur ut incrementum materiae ferroelectricae ad machinis memoriae, ad piezoelectric machinis evolutionem et ad gravidarum solidi status fabricationem.Proprietates singulares earum, ut princeps conductivitatis scelerisque, stabilitas bona mechanica, et humilis dielectrica constant, commoda illis in applicationibus dant.
In summa, LiAlO2 substratum refertur ad subiectum lithii aluminii oxydi.Substratorum liAlO2 variis applicationibus adhibentur, praesertim ad incrementa machinis GaN fundatae et ad progressionem aliarum machinarum electronicarum, optoelectronicarum et photonicarum.Desiderabilia possident proprietates physicas et chemicae, quae eas aptas faciunt ad deponendas membranas et heterostructuras et ad fabricam perficiendam augendam.
