LaAlO3 Substratum
Descriptio
LaAlO3unicum crystallum est principalissimum industriarum, magnae magnitudinis, summus temperatus, superducens pelliculas tenues substrata una materia crystalli.Augmentum cum methodo Czochralski, 2 pollicum diametro et uno crystallo majore et substrato haberi potest. Apta est ad productionem caliditatis superconducens Proin machinas electronicas (ut longum spatium communicationis in summo temperamento superconducto proin filtra etc.).
Properties
| Crystal Structure | M6（normalis temperatus | M3（>435℃） |
| Unit Cell Constant | M6 a=5.357A c=13.22 A | M3 a=3.821 A |
| Liquefactio Point（℃） | 2080 | |
| Density（g/cm3. | 6.52 | |
| Duritia (Mho) | 6-6.5 | |
| Scelerisque Expansion | 9.4x10-6/ | |
| Dielectric Constant | ε=21 | |
| Secans Loss（10ghz) | 3×10-4@300k,～0.6×10-4@77k | |
| Color et Aspectus | Ad annales et conditiones differunt a brunneo usque brunneo | |
| De stabilitate chemica | Locus temperatus non est dissolubilis in mineralibus, siccus maior quam 150 ℃ in solubili h3po4 | |
| Characteres | Proin electronic fabrica | |
| Incrementum Methodi | Methodus Czochralski | |
| Magnitudo | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | |
| 15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″ | ||
| Crassitudo | 0.5mm，1.0mm | |
| ut tincidunt | Una vel duplici | |
| Crystal propensionis | 100＞ ＜110＞ 111＞ | |
| Redirectio Precision | ±0.5° | |
| Redirection in Edge | 2° speciale in 1°） | |
| Angulus Crystallinus | Praecipua magnitudo et intentio praesto sunt ad petitionem | |
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | |
| Pack | C mundus pera，1000 sacculum prorsus mundum | |
Humilis Dielectric Constantini Commodum
Reduce signum corruptelae: In electronicis circuitionibus et systematibus communicationis, humilis dielectricae assidue adiuvat corruptelam insignem extenuant.Materiae dielectricae propagandae significationum electricorum afficere possunt, causando insignem iacturam et dilationem.Materiae inferioris-k hos effectus minuunt, ut accuratius signum transmissionis et altioris systematis perficiendi melius efficiant.
Nullas efficientiam emendare: Materiae dielectricae saepe pro insulatoribus adhibentur ut partes conductivas segregare et ultrices impedire ne.Humilis dielectricae constantes materiae efficacem insulam praebent per industriam minuendo amissam ad electrostatic copulationem inter conductores adjacentes.Hoc consequitur efficaciam energiae augeri et consummationem vim electricam systematis minui.
