Ge distent
Descriptio
Ge unum crystallum est optimum semiconductorem pro infrared et IC industria.
Properties
| Incrementum Methodi | Methodus Czochralski | ||
| Crystal Structure | M3 | ||
| Unit Cell Constant | a=5.65754 Å | ||
| Density（g/cm3. | 5.323 | ||
| Liquefactio Point（℃） | 937.4 | ||
| Doped Material | Non doped | Si-doped | In / Ga -doped |
| Type | / | N | P |
| Resistentia | 35Ωcm | 0.05Ωcm | 0.05~0.1Ωcm |
| EPD | 4×103∕cm2 | 4×103∕cm2 | 4×103∕cm2 |
| Magnitudo | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
| dia2" x 0.33mm dia2" x 0.43mm 15 x 15 mm | |||
| Crassitudo | 0.5mm，1.0mm | ||
| ut tincidunt | Una vel duplici | ||
| Crystal propensionis | <110> <111>、±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
The Ge Substratum Definition
The Ge Substratum refers to the subject made of element germanium (Ge).Germanium est materia semiconductor cum singularibus proprietatibus electronicis quae aptam reddunt variis applicationibus electronicis et optoelectronic.
Substratorum ge- mune in fabrica machinarum electronicarum adhibentur, praesertim in campo technologiae semiconductoris.Utuntur materiae basi ut membranae tenues deponendi et epitaxiales laminis aliorum semiconductorum ut Pii (Si).Ge subiectae heterostructurae crescere possunt et strata semiconductoria composita cum proprietatibus specificis applicationum ut summus velocitatis transistores, photodetectores et cellulae solares.
Germanium etiam in photonicis et optoelectronics adhibetur, ubi substratum adhiberi potest ad detectores et lentium crescentium.Ge subiecta habent proprietates ad applicationes infraredas requisitas, ut late transmissio in regione media infrascripta et excellentes proprietates mechanicas ad temperaturas humiles.
Ge subiecta habent structuram cancelli ad Pii arcte aequatam, easque compatibiles faciunt ad integrationem cum electronicis Si-substructis.Haec convenientia permittit fabricam structurarum hybridarum et progressionem electronicarum et photonicarum excogitationum.
In summa, substratum Ge significat subiectum germanium factum, materiam semiconductorem in applicationibus electronicis et optoelectronicis adhibitis.Pro suggestu est incrementum aliarum materiarum semiconductorium, quae variarum machinarum in campis electronicarum, optoelectronicarum et photonicarum fabricandas est.
